Samsung 990 PRO HeatSink SSD 2TB PCIe 4.0 NVMe M.2
El disco duro interno Samsung 990 PRO HeatSink con disipador térmico integrado ofrece un rendimiento excepcional para creadores de contenido, entusiastas de los videojuegos y profesionales exigentes que buscan la máxima velocidad y estabilidad en sus equipos informáticos.
Especificaciones Técnicas
- Marca y Modelo: Samsung, MZ-V9P2T0GW
- Tipo y Capacidad: SSD, 2 TB
- Formato: M.2 2280
- Conexión: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
- Rendimiento: Lectura secuencial: 7,450 MB/s, Escritura secuencial: 6,900 MB/s, Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,200,000 IOPS, Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS, Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS, Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS
- Características: Memoria de almacenamiento Samsung V-NAND 3-bit MLC, Controller Samsung in-house Controller, Memoria caché Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM, Soporte TRIM, Soporte S.M.A.R.T, GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection Algorithm, Encriptación AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive), Soporte Modo Suspensión en dispositivo
- Entorno: Consumo energético medio 5.5 - 8.5 W, Consumo energético (Idle) Max. 55 mW, Voltaje soportado 3.3 V 5 %, Durabilidad (MTBF) 1.5 Million Hours Reliability (MTBF), Temperatura 0 - 70ºC, Golpes 1,500 G & 0.5 ms
- Dimensiones y peso: 80 x 24.3 x 8.2 mm, Max. 28,0 g
SAMSUNG DISCO DURO INTERNO SÓLIDO SSD 990 PRO HEATSINK 2TB PCIE 40 NVME
Vendido y enviado por:
Samsung 990 PRO HeatSink SSD 2TB PCIe 4.0 NVMe M.2
El disco duro interno Samsung 990 PRO HeatSink con disipador térmico integrado ofrece un rendimiento excepcional para creadores de contenido, entusiastas de los videojuegos y profesionales exigentes que buscan la máxima velocidad y estabilidad en sus equipos informáticos.
Especificaciones Técnicas
- Marca y Modelo: Samsung, MZ-V9P2T0GW
- Tipo y Capacidad: SSD, 2 TB
- Formato: M.2 2280
- Conexión: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
- Rendimiento: Lectura secuencial: 7,450 MB/s, Escritura secuencial: 6,900 MB/s, Lectura aleatoria (4KB, QD32): 1,200,000 IOPS, Escritura aleatoria (4KB, QD32): 1,550,000 IOPS, Lectura aleatoria (4KB, QD1): 22,000 IOPS, Escritura aleatoria (4KB, QD1): 80,000 IOPS
- Características: Memoria de almacenamiento Samsung V-NAND 3-bit MLC, Controller Samsung in-house Controller, Memoria caché Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM, Soporte TRIM, Soporte S.M.A.R.T, GC (Garbage Collection) Auto Garbage Collection Algorithm, Encriptación AES 256-bit Encryption (Class 0) TCG/Opal IEEE1667 (Encrypted drive), Soporte Modo Suspensión en dispositivo
- Entorno: Consumo energético medio 5.5 - 8.5 W, Consumo energético (Idle) Max. 55 mW, Voltaje soportado 3.3 V 5 %, Durabilidad (MTBF) 1.5 Million Hours Reliability (MTBF), Temperatura 0 - 70ºC, Golpes 1,500 G & 0.5 ms
- Dimensiones y peso: 80 x 24.3 x 8.2 mm, Max. 28,0 g
SAMSUNG DISCO DURO INTERNO SÓLIDO SSD 990 PRO HEATSINK 2TB PCIE 40 NVME
Información sobre el responsable de la marca en la UE De acuerdo con lo dispuesto en el Reglamento (UE) 2023/988 del Parlamento Europeo y del Consejo, de 10 de mayo de 2023, sobre la seguridad general de los productos (GPSR), proporcionamos los datos del responsable de la marca en la Unión Europea:
Samsung Electronics GmbH- Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach/Ts. DE
Importante: Si tienes alguna consulta sobre tu pedido, producto o garantía, por favor, inicia sesión en tu cuenta de cliente de Aquí Mejor. Desde allí, selecciona el pedido correspondiente y contacta directamente con la empresa comercializadora (Aquí Mejor o el vendedor externo) con la que realizaste la compra.
1701781-UO8
Ficha de datos
- Dispositivos Compatibles
- ordenadores de sobremesa
- Usos específicos del producto
- juego de azar
- Interfaz
- nvme
- Tamaño de la memoria caché instalada
- 2048MB
- Factor de forma del disco duro
- m.2 2280
- Capacidad de la unidad de estado sólido
- 2000
- Color
- Negro