SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS 4TB M2 2280 PCIE GEN5 NVME

Interne SSD 990 EVO Plus

• Sequenzielle Lesegeschwindigkeit bis zu 7.150 MB/s. PCIe 4.0x4/PCIe 5.0x2, NVMe M.2.
• Verbesserte Energieeffizienz, geringerer Verbrauch bei Laptops.
• Verbesserte Leistung für den persönlichen Gebrauch, Speicherung von Fotos, Videos und Gaming sowie für den professionellen Einsatz.

Leistung

Bis zu 7.250 MB/s sequenzielle Lesegeschwindigkeit, 45 % schneller als das Vorgängermodell.

Energieeffizienz

Um 73 % verbesserte Energieeffizienz für mehr MB/s pro Watt bei gleichbleibender Leistung und thermischer Kontrolle.

Vielseitigkeit

Bis zu 4 TB erweiterte Kapazität und hohe Geschwindigkeit.

Spektakuläre Geschwindigkeit jeden Tag

Erledigen Sie Ihre Aufgaben schneller. Die 990 EVO Plus mit der neuesten NAND bietet verbesserte sequenzielle Lese-/Schreibgeschwindigkeiten von bis zu 7.250/6.300 MB/s. Riesige Dateien, sofortige Übertragung.

Volle Leistung den ganzen Tag

Nutzen Sie die volle Leistung Ihres Laufwerks mit der verbesserten Intelligent TurboWrite 2.0-Funktion. Verarbeiten Sie massiven Datenverkehr schneller und beschleunigen Sie schwere Grafiken mit einem erweiterten TurboWrite-Bereich, der jetzt in 4 TB Kapazität verfügbar ist.

Mehr Platz und Geschwindigkeit

Nutzen Sie die volle Leistung Ihres Laufwerks mit der verbesserten Intelligent TurboWrite 2.0-Funktion. Verarbeiten Sie massiven Datenverkehr schneller und beschleunigen Sie schwere Grafiken mit einem erweiterten TurboWrite-Bereich, der jetzt in 4 TB Kapazität verfügbar ist.

Samsung Magician Software

Sorgen Sie dafür, dass Ihre SSD wie von Zauberhand funktioniert. Die Optimierungstools der Samsung Magician Software garantieren die beste SSD-Leistung. Es ist eine einfache und sichere Möglichkeit, alle Ihre Daten zu migrieren, um Ihre Samsung SSD zu aktualisieren. Schützen Sie wertvolle Daten, überwachen Sie den Zustand des Laufwerks und erhalten Sie die neuesten Firmware-Updates.

Innovationen Wirklichkeit werden lassen

Seit Jahrzehnten treibt Samsungs NAND-Flash-Speicher revolutionäre Technologien an, die alle Aspekte unseres täglichen Lebens verändern. Diese NAND-Flash-Technologie treibt auch unsere Consumer-SSDs an und schafft Raum für den nächsten großen Innovationsschub.

Spezifikationen

Speicher

Kapazität: 4 TB

Formfaktor: M.2 2280

Schnittstelle: PCI Express 4.0 x4 / PCI Express 5.0 x2 NVMe 2.0

Controller: Interner Samsung Controller

Speichertyp: V-NAND TLC

Cache: HMB (Host Memory Buffer)

Lesegeschwindigkeit: Bis zu 7250 MB/s

Schreibgeschwindigkeit: Bis zu 6300 MB/s

IOPS Lesen 4K: Bis zu 1050000

IOPS Schreiben 4K: Bis zu 1400000

Technologien: TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection, 256-Bit AES-Verschlüsselung, TCG Opal, IEEE1667

Kompatibilität: Client-PCs

Standby-Kompatibilität: Kompatibel

WWN: Nicht kompatibel

MTBF: 1500000 Stunden

Energieverbrauch

Verbrauch beim Lesen: 5.5 W

Verbrauch beim Schreiben: 4.8 W

Verbrauch im Ruhezustand: 60 mW

Verbrauch im Standby: 5 mW

Spannung: 3.3 V ± 5%

Betriebsbedingungen

Betriebstemperatur: 0 °C bis 70 °C

Stoßfestigkeit: 1500 G

Design

Abmessungen: Bis zu 80.15 x 22.15 x 2.38 mm

Gewicht: Bis zu 9 g

Software

Verwaltungssoftware: Samsung Magician