SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS 4TB M2 2280 PCIE GEN5 NVME

SSD Interno 990 EVO Plus

• Velocidade de leitura sequencial até 7.150 MB/s. PCIe 4.0x4/PCIe 5.0x2, NVMe M.2.
• Melhor eficiência energética, menor consumo em computadores portáteis.
• Desempenho aprimorado para uso pessoal, armazenamento de fotos, vídeos e jogos, e para uso profissional.

Desempenho

Até 7.250 MB/s de velocidade de leitura sequencial, 45% mais rápido que o modelo anterior.

Eficiência Energética

Eficiência energética aprimorada em 73% para obter mais MB/s por watt, mantendo o desempenho e o controle térmico.

Versatilidade

Até 4 TB de capacidade ampliada e rápida.

Velocidade Espetacular Todos os Dias

Realize suas tarefas mais rapidamente. O 990 EVO Plus com a mais recente NAND oferece velocidades de leitura/escrita sequencial aprimoradas de até 7.250/6.300 MB/s. Arquivos enormes, transferência instantânea.

Potência para o Dia Todo

Aproveite todo o poder da sua unidade com o recurso Intelligent TurboWrite 2.0 aprimorado. Processe dados massivos com mais rapidez e acelere gráficos pesados com uma região TurboWrite ampliada, agora disponível em 4 TB de capacidade.

Mais Espaço e Velocidade

Aproveite todo o poder da sua unidade com o recurso Intelligent TurboWrite 2.0 aprimorado. Processe dados massivos com mais rapidez e acelere gráficos pesados com uma região TurboWrite ampliada, agora disponível em 4 TB de capacidade.

Software Samsung Magician

Faça seu SSD funcionar como mágica. As ferramentas de otimização do software Samsung Magician garantem o melhor desempenho do SSD. É uma maneira fácil e segura de migrar todos os seus dados para atualizar seu SSD Samsung. Proteja dados valiosos, monitore a integridade da unidade e obtenha as atualizações de firmware mais recentes.

Tornando as Inovações uma Realidade

Por décadas, a memória flash NAND da Samsung impulsionou tecnologias revolucionárias que mudaram todos os aspectos de nossas vidas diárias. Essa tecnologia flash NAND também impulsiona nossos SSDs de consumo, abrindo espaço para o próximo grande impulso na inovação.

Especificações

Armazenamento

Capacidade: 4 TB

Fator de forma: M.2 2280

Interface: PCI Express 4.0 x4 / PCI Express 5.0 x2 NVMe 2.0

Controlador: Controlador interno Samsung

Tipo de memória: V-NAND TLC

Cache: HMB (Host Memory Buffer)

Velocidade de leitura: Até 7250 MB/s

Velocidade de escrita: Até 6300 MB/s

IOPS leitura 4K: Até 1050000

IOPS escrita 4K: Até 1400000

Tecnologías: TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection, criptografia AES de 256 bits, TCG Opal, IEEE1667

Compatibilidade: PCs clientes

Compatibilidade suspensão: Compatível

WWN: Não compatível

MTBF: 1500000 horas

Consumo de Energia

Consumo em leitura: 5.5 W

Consumo em escrita: 4.8 W

Consumo em repouso: 60 mW

Consumo em suspensão: 5 mW

Voltagem: 3.3 V ± 5%

Condições de Funcionamento

Temperatura de funcionamento: 0 °C a 70 °C

Resistência a choques: 1500 G

Design

Dimensões: Até 80.15 x 22.15 x 2.38 mm

Peso: Até 9 g

Software

Software de gestão: Samsung Magician