KVR32N22S6/4 von ValueRAM
Ein DDR4-3200 CL22 SDRAM-Speichermodul (synchrone DRAM) mit 512M x 64 Bit (4GB), 1Rx16, basierend auf vier FBGA-Komponenten mit 512M x 16 Bit. Das SPD ist mit dem JEDEC-Standard für DDR4-3200-Latenz mit Timings von 22-22-22 bei 1,2 V programmiert. Jedes 288-Pin-DIMM verwendet Goldkontakte. Die elektrischen und mechanischen Spezifikationen lauten wie folgt:
- Elektrische Eigenschaften: VDD = 1,2V Typisch, VDDQ = 1,2V Typisch, VPP = 2,5V Typisch, VDDSPD = 2,2V bis 3,6V
- Technologie: Nominale und dynamische On-Chip-Terminierung (ODT) für Daten, Strobe- und Maskensignale, Automatischer Low-Power-Self-Refresh (LPASR), Datenbus-Invertierung (DBI) für den Datenbus, On-Chip-VREFDQ-Generierung und -Kalibrierung
- Architektur: Single Rank, Serielles Presence-Detect-EEPROM (SPD), 8 interne Bänke; 2 Gruppen mit je 4 Bänken
- Konfiguration: Fester Burst-Cut (BC) von 4 und Burst-Länge (BL) von 8 über das Mode-Register-Set (MRS), BC4 oder BL8 on-the-fly (OTF) wählbar, Fly-by-Topologie, Terminierter Befehls- und Adressbus
- Abmessungen und Konformität: PCB: Höhe 1,23” (31,25mm), RoHS-konform und halogenfrei
Spezifikationen
- Speicher: Kapazität: 4 GB, Typ: DDR4, Format: 288-Pin DIMM, Geschwindigkeit: 3200 MHz, Latenz: CL22, Spannung: 1,2 V, VPP-Spannung: 2,5 V, ECC: Nein, Puffer: Unbuffered, Chip-Konfiguration: 512M x 64, Standard: JEDEC, Finish: Vergoldete Kontakte
- Leistung: Zeilenzykluszeit: 45,75 ns, Zeilenzyklus-Aktualisierungszeit: 350 ns, Zeilenaktivzeit: 32 ns
- Betriebsbedingungen: Betriebstemperatur: 0 °C bis 85 °C, Lagertemperatur: -55 °C bis 100 °C
KINGSTON VALUERAM ARBEITSSPEICHER 4GB DDR4 3200MHZ CL22 DIMM KVR32N22S6/4
48,06 €
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KVR32N22S6/4 von ValueRAM
Ein DDR4-3200 CL22 SDRAM-Speichermodul (synchrone DRAM) mit 512M x 64 Bit (4GB), 1Rx16, basierend auf vier FBGA-Komponenten mit 512M x 16 Bit. Das SPD ist mit dem JEDEC-Standard für DDR4-3200-Latenz mit Timings von 22-22-22 bei 1,2 V programmiert. Jedes 288-Pin-DIMM verwendet Goldkontakte. Die elektrischen und mechanischen Spezifikationen lauten wie folgt:
- Elektrische Eigenschaften: VDD = 1,2V Typisch, VDDQ = 1,2V Typisch, VPP = 2,5V Typisch, VDDSPD = 2,2V bis 3,6V
- Technologie: Nominale und dynamische On-Chip-Terminierung (ODT) für Daten, Strobe- und Maskensignale, Automatischer Low-Power-Self-Refresh (LPASR), Datenbus-Invertierung (DBI) für den Datenbus, On-Chip-VREFDQ-Generierung und -Kalibrierung
- Architektur: Single Rank, Serielles Presence-Detect-EEPROM (SPD), 8 interne Bänke; 2 Gruppen mit je 4 Bänken
- Konfiguration: Fester Burst-Cut (BC) von 4 und Burst-Länge (BL) von 8 über das Mode-Register-Set (MRS), BC4 oder BL8 on-the-fly (OTF) wählbar, Fly-by-Topologie, Terminierter Befehls- und Adressbus
- Abmessungen und Konformität: PCB: Höhe 1,23” (31,25mm), RoHS-konform und halogenfrei
Spezifikationen
- Speicher: Kapazität: 4 GB, Typ: DDR4, Format: 288-Pin DIMM, Geschwindigkeit: 3200 MHz, Latenz: CL22, Spannung: 1,2 V, VPP-Spannung: 2,5 V, ECC: Nein, Puffer: Unbuffered, Chip-Konfiguration: 512M x 64, Standard: JEDEC, Finish: Vergoldete Kontakte
- Leistung: Zeilenzykluszeit: 45,75 ns, Zeilenzyklus-Aktualisierungszeit: 350 ns, Zeilenaktivzeit: 32 ns
- Betriebsbedingungen: Betriebstemperatur: 0 °C bis 85 °C, Lagertemperatur: -55 °C bis 100 °C
1522549-56K
Datenblatt
- Farbe
- Grün