KVR32N22S6/4 di ValueRAM
Un modulo di memoria DDR4-3200 CL22 SDRAM (DRAM sincrona) da 512M x 64 bit (4GB), 1Rx16, basato su quattro componenti FBGA da 512M x 16 bit. L'SPD è programmato con lo standard JEDEC di latenza DDR4-3200 con tempi di 22-22-22 a 1.2V. Ogni DIMM da 288 pin utilizza contatti in oro. Le specifiche elettriche e meccaniche sono le seguenti:
- Caratteristiche Elettriche: VDD = 1.2V Tipico, VDDQ = 1.2V Tipico, VPP = 2.5V Tipico, VDDSPD = 2.2V a 3.6V
- Tecnologia: Terminazione on-chip nominale e dinamica (ODT) per dati, strobe e segnali di maschera, Auto-refresh a basso consumo (LPASR), Inversione del bus dati (DBI) per il bus dati, Generazione e calibrazione VREFDQ on-chip
- Architettura: Single Rank, EEPROM di rilevamento presenza seriale (SPD), 8 banchi interni; 2 gruppi di 4 banchi ciascuno
- Configurazione: Burst cut fisso (BC) di 4 e lunghezza burst (BL) di 8 tramite il set di registri di modalità (MRS), BC4 o BL8 selezionabile al volo (OTF), Topologia fly-by, Bus di comando e indirizzo terminato
- Dimensioni e Conformità: PCB: Altezza 1.23” (31.25mm), Conforme a RoHS e privo di alogeni
Specifiche
- Memoria: Capacità: 4 GB, Tipo: DDR4, Formato: DIMM da 288 pin, Velocità: 3200 MHz, Latenza: CL22, Tensione: 1.2 V, Tensione VPP: 2.5 V, ECC: No, Buffer: Unbuffered, Configurazione chip: 512M x 64, Standard: JEDEC, Finitura: Contatti placcati in oro
- Prestazioni: Tempo di ciclo riga: 45.75 ns, Tempo di aggiornamento ciclo riga: 350 ns, Tempo attivo riga: 32 ns
- Condizioni Operative: Temperatura di esercizio: 0 °C a 85 °C, Temperatura di stoccaggio: -55 °C a 100 °C
KINGSTON MEMORIA RAM VALUERAM 4GB DDR4 3200MHZ CL22 DIMM KVR32N22S6/4
48,06 €
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KVR32N22S6/4 di ValueRAM
Un modulo di memoria DDR4-3200 CL22 SDRAM (DRAM sincrona) da 512M x 64 bit (4GB), 1Rx16, basato su quattro componenti FBGA da 512M x 16 bit. L'SPD è programmato con lo standard JEDEC di latenza DDR4-3200 con tempi di 22-22-22 a 1.2V. Ogni DIMM da 288 pin utilizza contatti in oro. Le specifiche elettriche e meccaniche sono le seguenti:
- Caratteristiche Elettriche: VDD = 1.2V Tipico, VDDQ = 1.2V Tipico, VPP = 2.5V Tipico, VDDSPD = 2.2V a 3.6V
- Tecnologia: Terminazione on-chip nominale e dinamica (ODT) per dati, strobe e segnali di maschera, Auto-refresh a basso consumo (LPASR), Inversione del bus dati (DBI) per il bus dati, Generazione e calibrazione VREFDQ on-chip
- Architettura: Single Rank, EEPROM di rilevamento presenza seriale (SPD), 8 banchi interni; 2 gruppi di 4 banchi ciascuno
- Configurazione: Burst cut fisso (BC) di 4 e lunghezza burst (BL) di 8 tramite il set di registri di modalità (MRS), BC4 o BL8 selezionabile al volo (OTF), Topologia fly-by, Bus di comando e indirizzo terminato
- Dimensioni e Conformità: PCB: Altezza 1.23” (31.25mm), Conforme a RoHS e privo di alogeni
Specifiche
- Memoria: Capacità: 4 GB, Tipo: DDR4, Formato: DIMM da 288 pin, Velocità: 3200 MHz, Latenza: CL22, Tensione: 1.2 V, Tensione VPP: 2.5 V, ECC: No, Buffer: Unbuffered, Configurazione chip: 512M x 64, Standard: JEDEC, Finitura: Contatti placcati in oro
- Prestazioni: Tempo di ciclo riga: 45.75 ns, Tempo di aggiornamento ciclo riga: 350 ns, Tempo attivo riga: 32 ns
- Condizioni Operative: Temperatura di esercizio: 0 °C a 85 °C, Temperatura di stoccaggio: -55 °C a 100 °C
1522549-56K
Scheda dati
- Colore
- Verde