Interne SSD 990 EVO Plus
Maximieren Sie Ihr Computererlebnis mit der internen SSD 990 EVO Plus von Samsung. Diese Festplatte wurde für erstklassige Leistung entwickelt und kombiniert außergewöhnliche Geschwindigkeiten mit überlegener Energieeffizienz, ideal für Privatanwender, Profis und Gamer.
Leistung und Überragende Geschwindigkeit
Erleben Sie sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s, was einer Steigerung von 45 % im Vergleich zu Vorgängermodellen entspricht. Dank PCIe 4.0x4- und PCIe 5.0x2-Technologie verläuft die Übertragung großer Dateien praktisch augenblicklich.
Erweiterte Energieeffizienz
Die für Laptops optimierte 990 EVO Plus verbessert die Energieeffizienz um 73 % und ermöglicht so eine höhere Leistung pro Watt ohne Kompromisse beim Wärmemanagement.
Intelligent TurboWrite 2.0 Technologie
Verarbeiten Sie komplexe Daten und rechenintensive Grafiken schneller dank des erweiterten TurboWrite-Bereichs, der den ganzen Tag über eine konstante Leistung garantiert.
Samsung Magician Software
Verwalten und optimieren Sie Ihr Laufwerk mit Samsung Magician. Dieses Tool erleichtert die Datenmigration, Firmware-Updates und die Überwachung des Festplattenstatus, um stets die maximale Leistung zu gewährleisten.
Technische Spezifikationen
- Marke: Samsung
- Modell: MZ-V9S2T0BW
- Verwendung: Client-PCs.
- Kapazität: 2 TB.
- Formfaktor: M.2 (2280).
- Schnittstelle: PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0.
- Abmessungen: Max. 80,15 x 22,15 x 2,38 mm.
- Gewicht: Max. 9,0 Gramm.
- Technologie: Samsung V-NAND TLC mit internem Controller.
- Cache-Speicher: HMB (Host Memory Buffer).
- Sicherheit: AES 256-Bit-Verschlüsselung (Class 0), TCG/Opal IEEE1667.
- Leistung: Sequenzielles Lesen bis zu 7.250 MB/s, Sequenzielles Schreiben bis zu 6.300 MB/s, Zufälliges Lesen (4KB, QD32) bis zu 1.000.000 IOPS, Zufälliges Schreiben (4KB, QD32) bis zu 1.350.000 IOPS.
- Zusätzliche Funktionen: TRIM-Unterstützung, S.M.A.R.T.-Unterstützung, GC (Garbage Collection) automatischer Bereinigungsalgorithmus, WWN-Unterstützung, Gerätesparmodus.
- Stromversorgung und Umgebung: Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen 4,6 W / Schreiben 4,2 W), Leistungsaufnahme (Leerlauf) 60 mW, Leistungsaufnahme (Ruhezustand) 5 mW, Zulässige Spannung 3,3 V ± 5 %, Zuverlässigkeit (MTBF) 1,5 Millionen Stunden, Betriebstemperatur 0–70 °C, Schock 1.500 G und 0,5 ms.
SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 2TB PCIE 40X4 NVME 20 MZ-V9S2T0BW
Verkauft und versendet von:
Interne SSD 990 EVO Plus
Maximieren Sie Ihr Computererlebnis mit der internen SSD 990 EVO Plus von Samsung. Diese Festplatte wurde für erstklassige Leistung entwickelt und kombiniert außergewöhnliche Geschwindigkeiten mit überlegener Energieeffizienz, ideal für Privatanwender, Profis und Gamer.
Leistung und Überragende Geschwindigkeit
Erleben Sie sequentielle Lesegeschwindigkeiten von bis zu 7.250 MB/s, was einer Steigerung von 45 % im Vergleich zu Vorgängermodellen entspricht. Dank PCIe 4.0x4- und PCIe 5.0x2-Technologie verläuft die Übertragung großer Dateien praktisch augenblicklich.
Erweiterte Energieeffizienz
Die für Laptops optimierte 990 EVO Plus verbessert die Energieeffizienz um 73 % und ermöglicht so eine höhere Leistung pro Watt ohne Kompromisse beim Wärmemanagement.
Intelligent TurboWrite 2.0 Technologie
Verarbeiten Sie komplexe Daten und rechenintensive Grafiken schneller dank des erweiterten TurboWrite-Bereichs, der den ganzen Tag über eine konstante Leistung garantiert.
Samsung Magician Software
Verwalten und optimieren Sie Ihr Laufwerk mit Samsung Magician. Dieses Tool erleichtert die Datenmigration, Firmware-Updates und die Überwachung des Festplattenstatus, um stets die maximale Leistung zu gewährleisten.
Technische Spezifikationen
- Marke: Samsung
- Modell: MZ-V9S2T0BW
- Verwendung: Client-PCs.
- Kapazität: 2 TB.
- Formfaktor: M.2 (2280).
- Schnittstelle: PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0.
- Abmessungen: Max. 80,15 x 22,15 x 2,38 mm.
- Gewicht: Max. 9,0 Gramm.
- Technologie: Samsung V-NAND TLC mit internem Controller.
- Cache-Speicher: HMB (Host Memory Buffer).
- Sicherheit: AES 256-Bit-Verschlüsselung (Class 0), TCG/Opal IEEE1667.
- Leistung: Sequenzielles Lesen bis zu 7.250 MB/s, Sequenzielles Schreiben bis zu 6.300 MB/s, Zufälliges Lesen (4KB, QD32) bis zu 1.000.000 IOPS, Zufälliges Schreiben (4KB, QD32) bis zu 1.350.000 IOPS.
- Zusätzliche Funktionen: TRIM-Unterstützung, S.M.A.R.T.-Unterstützung, GC (Garbage Collection) automatischer Bereinigungsalgorithmus, WWN-Unterstützung, Gerätesparmodus.
- Stromversorgung und Umgebung: Durchschnittlicher Stromverbrauch (Lesen 4,6 W / Schreiben 4,2 W), Leistungsaufnahme (Leerlauf) 60 mW, Leistungsaufnahme (Ruhezustand) 5 mW, Zulässige Spannung 3,3 V ± 5 %, Zuverlässigkeit (MTBF) 1,5 Millionen Stunden, Betriebstemperatur 0–70 °C, Schock 1.500 G und 0,5 ms.
SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS 2TB M2 2280 PCIE 50 NVME
Informationen über den Markenverantwortlichen in der EU Gemäß der Verordnung (EU) 2023/988 des Europäischen Parlaments und des Rates vom 10. Mai 2023 über die allgemeine Produktsicherheit (GPSR) stellen wir die Daten des Markenverantwortlichen in der Europäischen Union bereit:
Samsung Electronics GmbH- Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach/Ts. DE
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1522649-KB2
Datenblatt
- Kompatible Geräte
- Desktop-Computer
- Datenübertragungsrate
- Schnittstelle
- pcie
- Festplatten-Formfaktor
- m.2 2280
- Lesegeschwindigkeit
- Schreibgeschwindigkeit
- Kapazität des Solid-State-Laufwerks
- Farbe
- Schwarz