SSD Interne 990 EVO Plus
Maximisez votre expérience informatique avec le SSD interne 990 EVO Plus de Samsung. Conçu pour offrir des performances de pointe, ce disque combine des vitesses exceptionnelles avec une efficacité énergétique supérieure, idéal pour les utilisateurs personnels, professionnels et les joueurs.
Performance et Vitesse Supérieure
Découvrez une vitesse de lecture séquentielle allant jusqu'à 7 250 Mo/s, ce qui représente une augmentation de 45 % par rapport aux modèles précédents. Grâce à la technologie PCIe 4.0x4 et PCIe 5.0x2, le transfert de fichiers massifs est pratiquement instantané.
Efficacité Énergétique Avancée
Optimisé pour les ordinateurs portables, le 990 EVO Plus améliore l'efficacité énergétique de 73 %, permettant de plus grandes performances par watt sans compromettre le contrôle thermique.
Technologie Intelligent TurboWrite 2.0
Traitez des données complexes et des graphiques lourds plus rapidement grâce à la zone TurboWrite élargie, garantissant une puissance constante tout au long de la journée.
Logiciel Samsung Magician
Gérez et optimisez votre disque avec Samsung Magician. Cet outil facilite la migration des données, la mise à jour du firmware et la surveillance de l'état du disque, garantissant toujours des performances maximales.
Spécifications Techniques
- Marque : Samsung
- Modèle : MZ-V9S2T0BW
- Utilisation : PC clients.
- Capacité : 2 To.
- Format : M.2 (2280).
- Interface : PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0.
- Dimensions : Max 80,15 x 22,15 x 2,38 mm.
- Poids : Max 9,0 grammes.
- Technologie : Samsung V-NAND TLC avec contrôleur interne.
- Mémoire Cache : HMB (Host Memory Buffer).
- Sécurité : Chiffrement AES 256 bits (Class 0), TCG/Opal IEEE1667.
- Performance : Lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, Écriture séquentielle jusqu'à 6 300 Mo/s, Lecture aléatoire (4Ko, QD32) jusqu'à 1 000 000 IOPS, Écriture aléatoire (4Ko, QD32) jusqu'à 1 350 000 IOPS.
- Caractéristiques Supplémentaires : Prise en charge TRIM, S.M.A.R.T, GC (Garbage Collection), WWN, mode veille de l'appareil.
- Alimentation et Environnement : Consommation moyenne (lecture 4,6 W / écriture 4,2 W), Consommation au repos 60 mW, Consommation en veille 5 mW, Tension autorisée 3,3 V ± 5 %, Fiabilité (MTBF) 1,5 million d'heures, Température de fonctionnement 0-70 °C, Choc 1 500 G et 0,5 ms.
SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 2TB PCIE 40X4 NVME 20 MZ-V9S2T0BW
Vendu et expédié par:
SSD Interne 990 EVO Plus
Maximisez votre expérience informatique avec le SSD interne 990 EVO Plus de Samsung. Conçu pour offrir des performances de pointe, ce disque combine des vitesses exceptionnelles avec une efficacité énergétique supérieure, idéal pour les utilisateurs personnels, professionnels et les joueurs.
Performance et Vitesse Supérieure
Découvrez une vitesse de lecture séquentielle allant jusqu'à 7 250 Mo/s, ce qui représente une augmentation de 45 % par rapport aux modèles précédents. Grâce à la technologie PCIe 4.0x4 et PCIe 5.0x2, le transfert de fichiers massifs est pratiquement instantané.
Efficacité Énergétique Avancée
Optimisé pour les ordinateurs portables, le 990 EVO Plus améliore l'efficacité énergétique de 73 %, permettant de plus grandes performances par watt sans compromettre le contrôle thermique.
Technologie Intelligent TurboWrite 2.0
Traitez des données complexes et des graphiques lourds plus rapidement grâce à la zone TurboWrite élargie, garantissant une puissance constante tout au long de la journée.
Logiciel Samsung Magician
Gérez et optimisez votre disque avec Samsung Magician. Cet outil facilite la migration des données, la mise à jour du firmware et la surveillance de l'état du disque, garantissant toujours des performances maximales.
Spécifications Techniques
- Marque : Samsung
- Modèle : MZ-V9S2T0BW
- Utilisation : PC clients.
- Capacité : 2 To.
- Format : M.2 (2280).
- Interface : PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0.
- Dimensions : Max 80,15 x 22,15 x 2,38 mm.
- Poids : Max 9,0 grammes.
- Technologie : Samsung V-NAND TLC avec contrôleur interne.
- Mémoire Cache : HMB (Host Memory Buffer).
- Sécurité : Chiffrement AES 256 bits (Class 0), TCG/Opal IEEE1667.
- Performance : Lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, Écriture séquentielle jusqu'à 6 300 Mo/s, Lecture aléatoire (4Ko, QD32) jusqu'à 1 000 000 IOPS, Écriture aléatoire (4Ko, QD32) jusqu'à 1 350 000 IOPS.
- Caractéristiques Supplémentaires : Prise en charge TRIM, S.M.A.R.T, GC (Garbage Collection), WWN, mode veille de l'appareil.
- Alimentation et Environnement : Consommation moyenne (lecture 4,6 W / écriture 4,2 W), Consommation au repos 60 mW, Consommation en veille 5 mW, Tension autorisée 3,3 V ± 5 %, Fiabilité (MTBF) 1,5 million d'heures, Température de fonctionnement 0-70 °C, Choc 1 500 G et 0,5 ms.
SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS 2TB M2 2280 PCIE 50 NVME
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1522649-KB2
Fiche technique
- Interface
- pcie
- Facteur de forme du disque dur
- m.2 2280
- Vitesse de lecture
- Vitesse d'écriture
- Capacité du disque SSD
- Appareils compatibles
- ordinateurs de bureau
- Taux de transfert de données
- Couleur
- Noir