SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 1TB M2 2280 PCIE 40 NVME MZ-V9S1T0BW
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Eigenschaften
Samsung MZ-V9S1T0. SSD - Kapazität: 1 TB - SSD-Formfaktor: M.2 - Lesegeschwindigkeit: 7150 MB/s - Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s - Komponente für: PC
1 TB M.2 PCI Express 4.0
Lesegeschwindigkeit: 7150 MB/s 850000 IOPS
Schreibgeschwindigkeit: 6300 MB/s 1350000 IOPS
V-NAND TLC NVMe 2.0
Hardware-Verschlüsselung 256-bit AES
S.M.A.R.T.-Unterstützung. TRIM-Unterstützung
Komponente für: PC
Überragende Leistung
- Sequenzielles Lesen: Bis zu 7150 MB/s.
- Sequenzielles Schreiben: Bis zu 6300 MB/s.
- Zufälliges Lesen (4KB, QD32): Bis zu 850.000 IOPS.
- Zufälliges Schreiben (4KB, QD32): Bis zu 1.350.000 IOPS.
Technische Daten
- Marke: Samsung
- Modell: MZ-V9S1T0BW
- Kapazität: 1 TB
- Schnittstelle: PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
- Größe: M.2 (2280)
- Abmessungen und Gewicht: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm, max. 9 g
SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 1TB M2 2280 PCIE 40 NVME MZ-V9S1T0BW
Informationen über den Markenverantwortlichen in der EU Gemäß der Verordnung (EU) 2023/988 des Europäischen Parlaments und des Rates vom 10. Mai 2023 über die allgemeine Produktsicherheit (GPSR) stellen wir die Daten des Markenverantwortlichen in der Europäischen Union bereit:
Samsung Electronics GmbH- Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach/Ts. DE
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