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SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS 1TB NVME

SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 1TB M2 2280 PCIE 40 NVME MZ-V9S1T0BW

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Características

Samsung MZ-V9S1T0. SSD - capacidad: 1 TB - Factor de forma de disco SSD: M.2 - Velocidad de lectura: 7150 MB/s - Velocidad de escritura: 6300 MB/s - Componente para: PC

1 TB M.2 PCI Express 4.0

Velocidad de lectura: 7150 MB/s 850000 IOPS

Velocidad de escritura: 6300 MB/s 1350000 IOPS

V-NAND TLC NVMe 2.0

Encriptación de hardware 256-bit AES

Soporte S.M.A.R.T. Soporte TRIM

Componente para: PC

Rendimiento Superior

  • Lectura Secuencial: Hasta 7150 MB/s.
  • Escritura Secuencial: Hasta 6300 MB/s.
  • Lectura Aleatoria (4KB, QD32): Hasta 850.000 IOPS.
  • Escritura Aleatoria (4KB, QD32): Hasta 1.350.000 IOPS.

Especificaciones Técnicas y Características

  • Marca: Samsung
  • Modelo: MZ-V9S1T0BW
  • Capacidad: 1TB
  • Interfaz: PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
  • Tamaño: M.2 (2280)
  • Memoria Caché: HMB (búfer de memoria del host)
  • Soporte y Seguridad: Soporte TRIM, Soporte S.M.A.R.T, GC (Garbage Collection) Algoritmo de recolección automática de basura
  • Soporte de Cifrado: Cifrado AES de 256 bits (Clase 0) TCG/Opal, IEEE1667 (unidad cifrada)
  • Funciones Adicionales: Soporte WWN, Soporte del modo de suspensión del dispositivo
  • Alimentación y Entorno: Consumo medio de energía (Promedio: Lectura 4,3 W / Escritura 4,2 W), Consumo de energía inactivo típico 60 mW, Consumo de energía en reposo del dispositivo 5 mW típico
  • Voltaje y Fiabilidad: Voltaje permitido 3,3 V ± 5 %, Confiabilidad MTBF de 1,5 millones de horas, Temperatura de funcionamiento 0 - 70 ºC, Choque 1.500 G y 0,5 ms
  • Dimensiones y Peso: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm, Máx. 9 g

Especificaciones Detalladas

  • Peso y dimensiones: Altura 80.2 mm, Ancho 80.2 mm, Peso 9 g, Profundidad 2.38 mm
  • Condiciones ambientales: Golpes en funcionamiento 1500 G, Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C
  • Control de energía: Consumo de energía (escritura) 4.2 W, Consumo de energía (espera) 0.06 W, Consumo de energía (lectura) 4.3 W, Consumo de potencia DevSlp (modo sueño) 5 mW, Consumo eléctrico promedio (escritura) 4.2 W, Consumo eléctrico promedio (lectura) 4.3 W, Voltaje de operación 3.3 V
  • Empaquetado: Altura del paquete 24 mm, Ancho del paquete 145 mm, Peso del paquete 68 g, Profundidad del paquete 100 mm
  • Características: Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES, Componente para PC, Encriptación de hardware Si, Escritura aleatoria (4KB) 1350000 IOPS, Factor de forma de disco SSD M.2, Función DevSleep Si, Interfaz PCI Express 4.0, Lectura aleatoria (4KB) 850000 IOPS, NVMe Si, SDD - capacidad 1 TB, Soporte S.M.A.R.T. Si, Soporte TRIM Si, Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm), Tiempo medio entre fallos 1500000 h, Tipo de memoria V-NAND TLC, Velocidad de escritura 6300 MB/s, Velocidad de lectura 7150 MB/s, Versión NVMe 2.0

SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 1TB M2 2280 PCIE 40 NVME MZ-V9S1T0BW

Información sobre el responsable de la marca en la UE De acuerdo con lo dispuesto en el Reglamento (UE) 2023/988 del Parlamento Europeo y del Consejo, de 10 de mayo de 2023, sobre la seguridad general de los productos (GPSR), proporcionamos los datos del responsable de la marca en la Unión Europea:

Samsung Electronics GmbH
  • Am Kronberger Hang 6 65824 Schwalbach/Ts. DE

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1522648-XSW

Ficha de datos

Velocidad de lectura
7150 MB/s
Velocidad de escritura
6300 MB/s
Capacidad de la unidad de estado sólido
1TB
Dispositivos Compatibles
ordenador portátil
Interfaz
nvme
Tamaño de la memoria caché instalada
HMB
Factor de forma del disco duro
m.2 2280
Color
Negro

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