SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 1TB M2 2280 PCIE 40 NVME MZ-V9S1T0BW
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Caractéristiques
Samsung MZ-V9S1T0. SSD - capacité : 1 To - Facteur de forme de disque SSD : M.2 - Vitesse de lecture : 7150 Mo/s - Vitesse d'écriture : 6300 Mo/s - Composant pour : PC
1 To M.2 PCI Express 4.0
Vitesse de lecture : 7150 Mo/s 850000 IOPS
Vitesse d'écriture : 6300 Mo/s 1350000 IOPS
V-NAND TLC NVMe 2.0
Chiffrement matériel 256-bit AES
Support S.M.A.R.T. Support TRIM
Composant pour : PC
Performances Supérieures
- Lecture Séquentielle : Jusqu'à 7150 Mo/s.
- Écriture Séquentielle : Jusqu'à 6300 Mo/s.
- Lecture Aléatoire (4 Ko, QD32) : Jusqu'à 850 000 IOPS.
- Écriture Aléatoire (4 Ko, QD32) : Jusqu'à 1 350 000 IOPS.
Spécifications Techniques
- Marque : Samsung
- Modèle : MZ-V9S1T0BW
- Capacité : 1 To
- Interface : PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
- Format : M.2 (2280)
- Mémoire Cache : HMB
- Sécurité : Chiffrement AES 256 bits, Support TRIM, Support S.M.A.R.T.
- Dimensions et Poids : 80,15 x 22,15 x 2,38 mm, Max 9 g
SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 1TB M2 2280 PCIE 40 NVME MZ-V9S1T0BW
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