SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS 4TB M2 2280 PCIE GEN5 NVME
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SSD Interno 990 EVO Plus
- Velocità di lettura sequenziale fino a 7.150 MB/s. PCIe 4.0x4/PCIe 5.0x2, NVMe M.2.
- Migliore efficienza energetica, minore consumo nei computer portatili.
- Prestazioni migliorate per uso personale, archiviazione di foto, video e gaming, e per uso professionale.
Prestazioni
Fino a 7.250 MB/s di velocità di lettura sequenziale, il 45% più veloce rispetto al modello precedente.
Efficienza energetica
Efficienza energetica migliorata del 73% per ottenere più MB/s per watt, mantenendo le prestazioni e il controllo termico.
Versatilità
Fino a 4 TB di capacità ampliata e veloce.
Velocità spettacolare ogni giorno
Esegui le tue attività più rapidamente. Il 990 EVO Plus con la più recente NAND offre velocità di lettura/scrittura sequenziale migliorate fino a 7.250/6.300 MB/s. File enormi, trasferimento istantaneo.
Potenza per tutto il giorno
Sfrutta tutta la potenza della tua unità con la funzione Intelligent TurboWrite 2.0 migliorata. Elabora dati massicci con maggiore rapidità e velocizza la grafica pesante con una regione TurboWrite ampliata, ora disponibile in 4 TB di capacità.
Più spazio e velocità
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Software Samsung Magician
Fa' funzionare il tuo SSD come per magia. Gli strumenti di ottimizzazione del software Samsung Magician garantiscono le migliori prestazioni dell'SSD. È un modo facile e sicuro per migrare tutti i tuoi dati per aggiornare il tuo SSD Samsung. Proteggi i dati preziosi, monitora lo stato di salute dell'unità e ottieni gli ultimi aggiornamenti firmware.
Realizzare le innovazioni
Per decenni, la memoria flash NAND di Samsung ha alimentato tecnologie rivoluzionarie che hanno cambiato ogni aspetto della nostra vita quotidiana. Questa tecnologia flash NAND alimenta anche le nostre unità SSD consumer, lasciando spazio alla prossima grande spinta all'innovazione.
Specifiche
Archiviazione
Capacità: 4 TB
Fattore di forma: M.2 2280
Interfaccia: PCI Express 4.0 x4 / PCI Express 5.0 x2 NVMe 2.0
Controller: Controller interno Samsung
Tipo di memoria: V-NAND TLC
Cache: HMB (Host Memory Buffer)
Velocità di lettura: Fino a 7250 MB/s
Velocità di scrittura: Fino a 6300 MB/s
IOPS lettura 4K: Fino a 1050000
IOPS scrittura 4K: Fino a 1400000
Tecnologie: TRIM, S.M.A.R.T., Garbage Collection, crittografia AES a 256 bit, TCG Opal, IEEE1667
Compatibilità: PC client
Compatibilità sospensione: Compatibile
WWN: Non compatibile
MTBF: 1500000 ore
Consumo energetico
Consumo in lettura: 5.5 W
Consumo in scrittura: 4.8 W
Consumo inattivo: 60 mW
Consumo in sospensione: 5 mW
Tensione: 3.3 V ± 5%
Condizioni operative
Temperatura operativa: da 0 °C a 70 °C
Resistenza agli urti: 1500 G
Design
Dimensioni: Fino a 80.15 x 22.15 x 2.38 mm
Peso: Fino a 9 g
Software
Software di gestione: Samsung Magician
SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS 4TB M2 2280 PCIE GEN5 NVME
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