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SAMSUNG 990 EVO Plus SSD 2TB PCIe 4 0x 4 NVMe 2 0

SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 2TB PCIE 40X4 NVME 20 MZ-V9S2T0BW

418,03 € (TVA incluse)
Tailles : Talla única

Vendu et expédié par:

TISATOOL
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SSD Interne 990 EVO Plus

Maximisez votre expérience informatique avec le SSD interne 990 EVO Plus de Samsung. Conçu pour offrir des performances de pointe, ce disque combine des vitesses exceptionnelles avec une efficacité énergétique supérieure, idéal pour les utilisateurs personnels, professionnels et les joueurs.

Performance et Vitesse Supérieure

Découvrez une vitesse de lecture séquentielle allant jusqu'à 7 250 Mo/s, ce qui représente une augmentation de 45 % par rapport aux modèles précédents. Grâce à la technologie PCIe 4.0x4 et PCIe 5.0x2, le transfert de fichiers massifs est pratiquement instantané.

Efficacité Énergétique Avancée

Optimisé pour les ordinateurs portables, le 990 EVO Plus améliore l'efficacité énergétique de 73 %, permettant de plus grandes performances par watt sans compromettre le contrôle thermique.

Technologie Intelligent TurboWrite 2.0

Traitez des données complexes et des graphiques lourds plus rapidement grâce à la zone TurboWrite élargie, garantissant une puissance constante tout au long de la journée.

Logiciel Samsung Magician

Gérez et optimisez votre disque avec Samsung Magician. Cet outil facilite la migration des données, la mise à jour du firmware et la surveillance de l'état du disque, garantissant toujours des performances maximales.

Spécifications Techniques

  • Marque : Samsung
  • Modèle : MZ-V9S2T0BW
  • Utilisation : PC clients.
  • Capacité : 2 To.
  • Format : M.2 (2280).
  • Interface : PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0.
  • Dimensions : Max 80,15 x 22,15 x 2,38 mm.
  • Poids : Max 9,0 grammes.
  • Technologie : Samsung V-NAND TLC avec contrôleur interne.
  • Mémoire Cache : HMB (Host Memory Buffer).
  • Sécurité : Chiffrement AES 256 bits (Class 0), TCG/Opal IEEE1667.
  • Performance : Lecture séquentielle jusqu'à 7 250 Mo/s, Écriture séquentielle jusqu'à 6 300 Mo/s, Lecture aléatoire (4Ko, QD32) jusqu'à 1 000 000 IOPS, Écriture aléatoire (4Ko, QD32) jusqu'à 1 350 000 IOPS.
  • Caractéristiques Supplémentaires : Prise en charge TRIM, S.M.A.R.T, GC (Garbage Collection), WWN, mode veille de l'appareil.
  • Alimentation et Environnement : Consommation moyenne (lecture 4,6 W / écriture 4,2 W), Consommation au repos 60 mW, Consommation en veille 5 mW, Tension autorisée 3,3 V ± 5 %, Fiabilité (MTBF) 1,5 million d'heures, Température de fonctionnement 0-70 °C, Choc 1 500 G et 0,5 ms.

SAMSUNG SSD 990 EVO PLUS 2TB M2 2280 PCIE 50 NVME

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Fiche technique

Appareils compatibles
ordinateurs de bureau
Taux de transfert de données
Interface
pcie
Facteur de forme du disque dur
m.2 2280
Vitesse de lecture
Vitesse d'écriture
Capacité du disque SSD
Couleur
Noir

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