Caratteristiche
Samsung MZ-V9S1T0. SSD - capacità: 1 TB - Fattore di forma SSD: M.2 - Velocità di lettura: 7150 MB/s - Velocità di scrittura: 6300 MB/s - Componente per: PC
1 TB M.2 PCI Express 4.0
Velocità di lettura: 7150 MB/s 850000 IOPS
Velocità di scrittura: 6300 MB/s 1350000 IOPS
V-NAND TLC NVMe 2.0
Crittografia hardware 256-bit AES
Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
Componente per: PC
Prestazioni Superiori
- Lettura Sequenziale: Fino a 7150 MB/s.
- Scrittura Sequenziale: Fino a 6300 MB/s.
- Lettura Casuale (4KB, QD32): Fino a 850.000 IOPS.
- Scrittura Casuale (4KB, QD32): Fino a 1.350.000 IOPS.
Specifiche Tecniche
- Marca: Samsung
- Modello: MZ-V9S1T0BW
- Capacità: 1 TB
- Interfaccia: PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
- Dimensioni e Peso: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm, Max 9 g
SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 1TB M2 2280 PCIE 40 NVME MZ-V9S1T0BW
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270,49 €
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Caratteristiche
Samsung MZ-V9S1T0. SSD - capacità: 1 TB - Fattore di forma SSD: M.2 - Velocità di lettura: 7150 MB/s - Velocità di scrittura: 6300 MB/s - Componente per: PC
1 TB M.2 PCI Express 4.0
Velocità di lettura: 7150 MB/s 850000 IOPS
Velocità di scrittura: 6300 MB/s 1350000 IOPS
V-NAND TLC NVMe 2.0
Crittografia hardware 256-bit AES
Supporto S.M.A.R.T. Supporto TRIM
Componente per: PC
Prestazioni Superiori
- Lettura Sequenziale: Fino a 7150 MB/s.
- Scrittura Sequenziale: Fino a 6300 MB/s.
- Lettura Casuale (4KB, QD32): Fino a 850.000 IOPS.
- Scrittura Casuale (4KB, QD32): Fino a 1.350.000 IOPS.
Specifiche Tecniche
- Marca: Samsung
- Modello: MZ-V9S1T0BW
- Capacità: 1 TB
- Interfaccia: PCIe Gen 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMe 2.0
- Dimensioni e Peso: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm, Max 9 g
SAMSUNG 990 EVO PLUS SSD 1TB M2 2280 PCIE 40 NVME MZ-V9S1T0BW
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1522648-XSW
Scheda dati
- Dispositivi compatibili
- laptop
- Interfaccia
- nvme
- Dimensioni della memoria cache installata
- Fattore di forma del disco rigido
- m.2 2280
- Leggi Velocità
- Scrivi velocità
- Capacità dell'unità a stato solido
- Colore
- Nero